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號稱即將上興櫃

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相較上市櫃股票而言

會有流動性風險

產生想變現也無法變現的狀況

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聯穎光電股價參考

 

 

公司簡介

聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月，為聯電集團新投資事業群的一員，目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區，為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。
聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備，利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值，生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路，同時跨足再生能源領域，提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。
聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大的價值。
藉由提供III-V族業界最廣泛產品組合的代工服務，以及最佳化的砷化鎵晶圓代工商業模式，聯穎期許於不久的將來能夠在全球砷化鎵市場躋身領先地位。

 歡迎直接來電~0922-966-059 張先生<----手機點我即可撥號

非3C應用佔比漸拉高，聯穎今年獲利穩增溫

產品組合趨佳，專業線材廠聯穎(3550)今年上半年毛利率改善，第二季獲利創下近年高峰，法人估計，下半年表現有機會略優上半年，全年每股稅後盈餘可望超過1元，明年可望維持穩定配息，隱含現金殖利率可期。
聯穎是專業線材廠，下游客戶以中小型線材組裝廠為主。而公司過去是以IT、3C產品為主，但近年配合訊號線的應用擴大，非IT與3C的車用、工控及醫療應用佔比拉升，以今年上半年來看，三項合計的比重已經拉高到三成，帶動同期毛利率改善，從去年同期17.41%提升至22.33%，第二季單季每股稅後盈餘0.55元，則創下近年高峰。
事實上，以聯穎專注線材的營運模式來說，生產成本中以原料包括銅及塑料佔大宗，根據法人以目前的報價推估，佔比約有近五成及30-40%，不過，因線材廠金融海嘯後歷經銅價暴漲暴跌的自然調整，產業秩序已有一定默契，因此銅價為主的原料漲跌，多能即期反映，不致造成線材廠毛利率太大波動。
內部認為，今年毛利率的改善，主要還是產品應用的調整。其中在車用市場，聯穎交貨的終端車廠以美系車較多，產品應用包括音響、倒車雷達等影音傳輸線材為主。工控則是用在廠房設備顯示器用的高頻傳輸線為多；醫療則包括一些訊號傳輸的利基應用。
在主要利基應用配合線材組裝廠的貢獻擴大下，法人預期，聯穎第三季營收還有機會較第二季小增，下半年營運也可望較上半年增溫，全年每股稅後盈餘有機會重回1元以上。
值得留意的是，聯穎第二季底的每股淨值24.72元，帳上現金維持一定水準，近年在資本支出趨緩下，每年都維持穩定配息，近三年每股現金股利都持平在1元水準，法人認為，以今年獲利估算，明年現金股息仍可期。

聯穎光電

看好光電用發展，聯電（2303）新事業投資公司去年8月成立的聯穎光電，將砷化鎵太陽能電池製造為主要業務。聯穎確定廠房落腳大陸山東，初期投資額不大於900萬美元（約新台幣2.65億元）。
聯電去年8月成立聯穎光電，跨入砷化鎵晶圓代工領域，在砷化鎵市場一度死寂下，聯電100%出資成立聯穎光電，市場矚目。
聯穎昨（24）日公告在山東成立山東聯穎。聯電表示，主要是廠房已經確定落腳山東，也是聯電太陽能在山東布局的生力軍。
看好砷化鎵未來在太陽能、光通訊等應用，聯穎光電的廠房確定山東，但聯電表示，動工時間尚未確定。

聯電擬加碼投資聯穎光電
晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電，增加投資金額以新台幣3億元為限。
聯穎光電成立於民國99年10月，主要投入砷化鎵晶圓代工業務，目前資本額11.81億元；聯電為最大股東，持股比重達74.69%。
聯穎光電營運虧損，據聯電財報資料顯示，聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元，每股虧損1.97元。
為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金，聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資，增資額度以3億元為限。

聯電今日推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案 加速5G時代創新

2024-05-02 18:05 經濟日報／ 記者李孟珊／台北即時報導

晶圓代工大廠聯電（2303）2日宣布推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小逾45％，使客戶能有效率整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。

聯電表示，RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求不斷成長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案利用晶圓對晶圓鍵合技術，並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題。

聯電指出，公司的RFSOI 3D IC解決方案將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中整合更多射頻前端模組（RF-FEM）帶來的挑戰。此製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）說明，此突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加帶來的挑戰，更有助在行動、物聯網和虛擬實境裝置中，透過同時容納更多頻段，來實現更快的資料傳輸。

馬瑞吉強調，聯電很高興能領先業界，以創新射頻前端模組的3D IC技術，為客戶打造最先進的解決方案。未來將持續開發如5G毫米波（mmWave）晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。

據悉，聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超過500個產品設計定案，出貨量高達380多億顆，除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。

加速5G時代創新！聯華電子推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案

2024/05/02 22:22:31

經濟日報 項家麟

為加速5G時代的創新，聯華電子今(2)日宣布，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，可滿足5G更大的頻寬需求。

RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉(Raj Verma)表示，「我們領先業界，以創新射頻前端模組的3D IC技術為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來我們將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。」

值得一提的是，聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，提供包括行動裝置、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN)，以及射頻濾波器(RF filters)技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。

瑞薩溢價35%併購Transphorm！強化第三類半導體GaN技術 一文看懂台廠布局最新動態

2024/01/12 10:10

文｜馮欣仁

日本車用半導體IDM龍頭瑞薩，為了拓展功率半導體以及第三類半導體布局，宣布以每股5.1美元的價格取得氮化鎵(GaN)IDM廠商Transphorm已發行的所有普通股，收購總額約3.39億美元，以Transphorm 1月10日收盤價3.79美元來看、瑞薩開出的收購價溢價約35%。此消息一出，激勵昨晚(11)日Transphorm股價暴漲25.86%。

過去瑞薩主要著墨於車用MCU，但有鑑於電動車對於功率半導體需求大增，近來瑞薩也積極發展相關業務。去年瑞薩與碳化矽(SiC)基板龍頭Wolfspeed合作，Wolfspeed將在未來十年為瑞薩提供碳化矽裸晶（bare）及磊晶（epitaxial）晶圓。Wolfspeed供應的優質碳化矽晶圓，可讓瑞薩於2025年開始量產碳化矽功率半導體。

因應5G、電動車時代來臨，對於高頻、高壓功率元件需求大增，帶動氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導體材料興起。相較於矽基元件，GaN元件切換速度增快達十倍，同時可以在更高的最高溫度下運作，這些強大的材料本質特性讓GaN廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範疇持續成長的汽車、工業、電信、以及特定消費性電子應用產品。

根據資策會(MIC)資料統計，2022年全球GaN功率元件市占率，前七大廠商分別為 Power Integrations、Navitas、EPC、GaN Systems、Innoscience、Transphorm與Infineon；其中，GaN Systems日前已被Infineon收購。相較於SiC，GaN市場規模較小，根據市調機構Yole Group預估，GaN功率元件的市場規模，將在2027年達到20億美元。在2021-2027年間，整體GaN功率元件市場的複合年成長率（CAGR）為59%。

目前國內不少廠商也積極投入GaN，最上游基板廠環球晶、磊晶嘉晶、全新、晶圓代工台積電、世界、漢磊投控、台亞、晶成、聯穎等；以及IDM廠商全訊等。其中，晶圓代工龍頭台積電早在2020年就與功率半導體IDM大廠意法半導體攜手合作開發GaN製程技術，包括: GaN Systems、Navitas等都是台積電的客戶。

聯電也透過轉投資的6吋廠聯穎光電進軍氮化鎵晶圓代工，聯手建置技術平台，供客戶設計導入，並與知名的氮化鎵設計公司展開研發8吋代工製程；建置晶圓廠代工技術與產能之外，聯電與策略結盟夥伴封測廠頎邦，也會展開GaN後段的代工合作。

8吋晶圓代工廠世界於2018年以Qromis基板技術（簡稱QST）進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發。QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現量產。日前GaN大廠EPC與晶圓代工廠世界共同宣布簽訂未來數年的8吋氮化鎵功率元件量產合作協議，EPC將採用世界先進高品質製造能力來提升高性能氮化鎵電晶體和IC產能。

《業績-電零組》聯穎8月營收為3.31億元，年增8.57%

時報資訊

2023年9月6日

【時報-快訊】聯穎(3550)8月營收(單位:千元)

項目 8月營收 1- 8月營收

112年度 330,600 2,464,693

111年同期 304,493 2,793,823

增減金額 26,107 -329,130

增減(％) 8.57 -11.78

聯電布局第三代半導體 報捷

經濟日報／ 記者李孟珊／台北報導

聯電（2303）車用布局有重大斬獲之際，第三代半導體事業也傳出捷報，旗下聯穎光電第三代半導體業務受惠於5G、車用等應用需求暢旺，今年第2季已連續五季獲利且逐季成長，上半年更賺贏去年全年。

聯穎光電是聯電第三代半導體重要轉投資，持股約八成，主要提供6吋化合物半導體晶圓代工服務，技術囊括砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW濾波器，並跨足光電元件製造，終端產品應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及3D感測元件等。

聯穎光電搶搭第三代半導體市場火熱商機，營運表現出色，2021年全年獲利為5.04億元，今年第1季與第2季獲利分別為3.41億元、3.55 億元，已連續三季衝破3億元大關，今年上半年已賺贏去年一整年。

聯電第三代半導體遇逆風 旗下聯穎Q3獲利大減逾8成

鉅亨網記者林薏茹 台北2022/11/05 12:22

晶圓代工廠聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，上半年賺贏去年全年，不過由於產能仍有部分矽基半導體，難逃下半年消費性電子需求放緩衝擊，第三季獲利縮水至 6551 萬元，較上季大減超過 8 成。

聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連 3 季獲利衝破 3 億元，且逐季成長。

不過，由於聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，受景氣循環波動影響較大，隨著第三季起消費性電子市況走弱，產能利用率也因此下滑，導致獲利大幅縮水。

聯穎產品囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造。在 6 吋市場站穩腳步後，聯穎現階段正朝 8 吋積極佈局，且有別於台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在氮化鎵 (GaN) 上主攻功率半導體，聯穎則是功率、微波並進，能有更大發展空間。聯穎目前仍有少部分利基型矽基半導體產能，規劃逐步拉高化合物半導體比重，縮減矽基半導體產能，目標 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造。

聯電第三代半導體布局有成 旗下聯穎上半年已賺贏去年全年

鉅亨網記者林薏茹 台北2022/08/16 13:10

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，近年來積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年第二季已連續 5 季獲利且逐季成長，上半年已賺贏去年全年。

聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年全年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連續 3 季衝破 3 億元大關，且逐季成長。

聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，技術囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造，終端產品應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。

考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎正進行技術平台建置，完成後會將平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。也傳聯電為擴大第三代半導體布局，將搶進難度更高的 8 吋晶圓第三代半導體製造領域，下半年相關機台將陸續進駐廠區，並將投入碳化矽製程開發。聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。

台積電投資美手筆之大！但為何華府眼中 宏捷科及聯穎幾乎與台積一樣重要？

2022-05-18 11:17 聯合新聞網／今周刊

【文．劉煥彥】

過去幾年美國與中國角力，從貿易戰一路升級至科技戰，半導體儼然成為台美關係更緊密的合作領域。

但在台積電之外，美方關注台灣半導體產業的焦點已擴展至其他本土供應鏈。美國在台協會（AIT）與經濟部4月底合辦的「臺美合作提升全球半導體供應鏈韌性座談會」，就邀來台積電重要供應商均豪（5443）及帆宣（6196）高層出席。

美方希望台灣半導體業者赴美設廠，部分是出於國家安全考量，主因是5奈米以下的先進製程，全球只掌握在台積電及南韓三星兩大廠手中，且產能都在亞洲。

更重要的是，美國需要的軍事或航太用途晶片，愈來愈多用到砷化鎵（GaAs）或氮化鎵（GaN）等化合物半導體。以專門做砷化鎵的利基型晶圓代工廠來說，穩懋（3105）、宏捷科（8086）及聯穎（3550）等三家台廠，在全球砷化鎵代工營收佔比合計超過九成。

換句話說，若從美方的國安角度考量，台灣半導體產業對美國的重要性，不只是掌握先進製程的台積電，更包括這些利基型的晶圓代工業者。

台積電年初才宣布　今年資本支出上看440億美元新高

2020年5月台積電宣布，預計從2021年至2029年投資約120億美元（約3600億台幣），在美國亞利桑納州建立先進晶圓廠。

若以120億美元來看，已經直逼美國海軍最新型的福特級核子動力航空母艦造價133億美元。

今年1月台積電才宣布，2022年資本支出最高將躍升至440億美元（約1兆3200億台幣），再創新高。

美國國會審議中的晶片法案（CHIPS Act），資金規模是520億美元，而台積以一家公司之力，就準備投入440億美元，讓華府不少專家印象深刻。

化合物半導體適合航太+軍事用途　原來是台廠利基

在台積電之外，台灣專門做化合物半導體的晶圓代工廠，同樣進入美方的關注視野。

與美國共和黨前國安團隊關係密切的華府智庫2049計畫研究所，去年11月曾由計畫副主任Eric Lee在知名國際關係主題網站The Diplomat撰文，題目是「台灣如何撐起了美國國防工業」，主要剖析美國國防工業需要的先進半導體，原來大半由台灣生產。

文章中指出，使用砷化鎵或氮化鎵等化合物半導體的晶片，最常出現在軍用規格的用途，例如射頻IC（RFIC）及單晶微波積體電路（MMIC）就運用在許多航太及軍用領域，從電磁頻譜作戰、信號情報、軍用通訊、太空作業、雷達及電子干擾都有。

不僅如此，台灣可說是執全球化合物半導體生產的牛耳。

舉例來說，若以全世界純粹砷化鎵晶圓代工的營收市佔率來看，穩懋半導體以79.2%高居第一，宏捷科以8.6%居次，加州的GCS（環宇-KY，4991）以4.2%排第三，聯穎光電則以3.4%排第四位。

若不計GCS，其餘三家台廠的市占率合計超過90%。

新世代武器需要太多先進半導體　從FPGA、CPU到GPU都是

文章中提到，雷神（Raytheon）及諾斯洛普格魯曼（Northrop Grumman）等美國主要國防工業製造商，確實有自家的軍用晶片工廠，但隨著武器系統用到的先進晶片愈來愈多，這些美國大廠未來可能得仰賴台廠生產化合物半導體的晶片。

其次，從雷達、新世代戰鬥機到彈道飛彈，新型武器系統用到的商用晶片也愈來愈多，例如以先進製程生產的FPGA（現場可程式化邏輯閘陣列）晶片、中央處理器（CPU）、繪圖處理器（GPU）或記憶體，如今大多都不在美國本土生產，反而台灣已經是生產重鎮，特別是台積電。

但華府另一家知名智庫CSIS警告，就因為台灣在全球半導體供應鏈的地位太重要，若台海發生戰事，對全世界經濟的打擊將無法估計。

「若台海發生戰事，對全世界經濟的打擊無法估計」

CSIS在今年3月一篇分析文指出，以2月爆發的烏克蘭戰事為例，在開戰前美國半導體業使用的純氖氣，高達90%是由少數幾家烏克蘭廠商提供，導致戰爭開打後大家拼命尋找替代來源。

但對幾家半導體大廠來說，早在2014年俄羅斯兼併克里米亞後，業界就已經準備應付這種狀況，因此得以分散供應來源，並建立一定庫存。

魏哲家提別提到「氖氣和氙氣」

今年4月中台積電總裁魏哲家在線上法說會回答法人提問時就表示，「在原料供應方面，台積策略是持續開發多源供應方案，以建立多元的全球供應商基礎，並完善在地供應鏈。對於特殊化學品和氣體，包括氖氣和氙氣」。

「我們向不同地區的多家供應商進行採購，並準備了一定水準的庫存量。」

但CSIS指出，以台灣在半導體市場的獨霸地位來看，不論業界如何預先準備，若中國入侵台灣，都不足以讓全球經濟免於台灣晶片生產中斷的影響。

「美國及盟邦決策高層設法不讓經濟受到這場潛在衝突的影響，但也需要在愈來愈不確定的國際安全環境下，共同處理供應鏈韌性的策略問題。」

科毅黃光製程設備 大廠青睞

本報訊 2022年2月24日·2 分鐘 (閱讀時間) 文╱江富滿

定位為黃光製程設備及材料專家、半導體暨光電設備製造商的科毅科技，擁有創新及小型化之優勢，設備具有高性價比、高效能、高精度及自動化等特性，獲得半導體先進封裝、主被動元件、觸控面板、光電顯示器、背光模組、太陽能、LED等產業指定採用。

該公司表示，科毅除能提供專業的黃光設備〔清洗、塗佈、曝光（光刻）、顯影、蝕刻機台、玻璃光罩設計…等新／中古設備〕，更可提供客戶潔淨且完善的黃光實驗室，並經由專業團隊的研發與實驗，推出符合客戶需求的客製化黃光機台設備。

科毅科技今年將陸續推出一系列先進設備，包括：1、風刀式奈米級光罩除塵機（MCS）：能有效降低落塵數，取代傳統沖洗流程，延長光罩壽限，減省製造成本及時間，應用於3～5奈米EUV Reticle，同時兼容DUV Reticle。2、無光罩雷射直寫曝光機（LDI）：減少光罩使用，降低成本，適用少量多樣產業，提供半導體封裝客戶需求。3、新型UV LED曝光頭：增進圖形、線條精準度及準直性，具有省電、省耗材、省工時、壽命長等特色。4、超薄型石英晶圓（塗佈、UV曝光機、顯影、光阻烘烤）全自動設備，應用於晶體振盪器市場。5、專利矩形循邊晶背清洗機、晶圓翹區整平平台、深溝顯影補助風刀等機構導入半導體封裝產業之顯影擴展。6、模組化半自動曝光機：低成本、高利潤，有利於大量標準化生產。

該公司指出，科毅目前主要客戶遍及國內上市櫃大廠包括日月光、聯穎光電、友達光電、群創光電、中強光電、崇浩光電、台灣晶技、台灣光罩、台灣生捷、奇美電子／實業及中研院、工研院、台大、清華、陽明交通…等學術研究機構，在疫情趨緩，國際貿易恢復正常商業活動後，將進軍中國及東南亞市場，持續擴大市場占有率。

《半導體》晶焱 全球市占坐三望二

2022年1月12日 週三 上午7:45·2 分鐘 (閱讀時間)

【時報-台北電】靜電防護晶片（ESD）廠晶焱（6411）在2021年第四季及全年營收順利創下新高後，2022年隨著新產能挹注，業績有望持續衝高。

法人圈傳出，晶焱2022年將首度在力積電8吋晶圓投片，且獲得聯電旗下6吋廠聯穎光電產能支援，將全力搶攻USB 4、車用市場，2022年全球市占率將可望坐三望二。

晶焱2021年12月合併營收達3.83億元、月成長3.6％，創下單月歷史次高，推動第四季合併營收季成長12.5％至11.85億元，寫下單季新高表現，累計2021年全年合併營收達41.42億元、年成長29.9％同締新猷。

法人指出，晶焱2021年下半年成功獲得晶圓代工產能支援，加上客戶同樣轉嫁增加成本，因此使晶焱下半年合併營收開始明顯成長，且第四季在客戶拉貨動能續旺情況下，使合併營收達到淡季不淡水準。

進入2022年後，法人圈傳出，晶焱將可望首度獲得力積電8吋晶圓投片，雖然初期投片量有限，大約僅200～300片等小量規模，不過後續有機會持續獲得力積電8吋晶圓產能擴大支援，目標是每月2,000片規模。

不僅如此，聯電旗下的6吋晶圓廠聯穎光電也對晶焱產能提供奧援，法人指出，目前聯穎光電每月提供給晶焱大約兩萬片的6吋晶圓規模，加上力積電提供的8吋產能晶圓，晶焱將可望擴大供貨給車用及USB 4等相關客戶，使ESD晶片出貨動能在2022年將可明顯攀升，市占率有機會坐二望三。

據了解，晶焱在2021年受惠遠端商機，使ESD晶片獲得客戶在USB控制IC、HDMI及行動周邊零組件等終端應用擴大導入訂單，且進入2022年還可望受惠於USB 4、PCIe Gen4／5等高速傳輸介面滲透率提升，加大晶焱ESD晶片出貨動能。

整體來看，法人看好，晶焱在2022年營運將有機會在市場需求續旺，加上晶圓代工產能奧援情況下，推動單季業績呈現逐季成長規模，全年業績將有機會繳出優於2021年的成績單，代表將再改寫新高表現。(新聞來源 : 工商時報一蘇嘉維／台北報導)

卓勝微新產品就位擴大與立積等對手搶市 聯電受惠

2021/07/07 10:17:47 經濟日報 記者謝佳雯／即時報導

中國大陸射頻元件龍頭卓勝微傳出推出適用於5G通信制式sub-6GHz的高頻產品和WiFi射頻模組產品，並打入華為、TPLink供應鏈，擴大和Qorvo、Skyworks、立積（4968）等競爭對手爭搶市場，且將成為聯電（2303）旗下GaAs代工廠聯穎光電的最大客戶。

卓勝微成立於2012年，在射頻開關領域占全球10%的市占率，現在已經是大陸國產射頻開關龍頭。從資料來看，卓勝微第1季營收有人民幣11.8億元，年成長162.4%；淨利有4.92億元，年增2.2倍。

據卓勝微對外表示，今年業績大幅成長，主要受惠於5G通信技術的發展，帶動射頻前端市場需求的快速增長。

市場傳出，卓勝微推出的WiFi FEM已開始擴大市占率，並順利打入華為、TPLink等客戶的供應鏈。

由於卓勝微的產品主要採用SOI、GaAs等製程和材料，市場傳出，該公司的SOI主要在聯電生產，GaAs則在聯電旗下聯穎光電和三安代勞；其中，自9月起，卓勝微將成為聯穎光電最大客戶。

法人認為，卓勝微新推出的Wi-Fi FEM將有機會陸續提高在中國大陸的市占率，與Qorvo、Skyworks、立積等Wi-Fi FEM 供應商爭搶市場，但聯穎光電將可受惠。

聯電第三代半導體佈局報佳音 旗下聯穎Q3獲利大增5倍、傳產能爆滿擬擴產

鉅亨網記者林薏茹 台北2021/11/14 14:02

聯電 (2303-TW) 近年來攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年以來傳產能均維持滿載，第三季獲利更較第二季大增 5 倍，帶動營運轉盈；市場也傳聯穎擬現增擴產，明年產能可望翻倍跳增。

聯穎光電今年上半年累計虧損約 6270 萬元，其中第二季獲利約 4000 萬元，翻開聯電財報，前三季累計純益已達 1.88 億元，相當於第三季單季就大賺超過 2.5 億元，純益季增 5.23 倍，獲利能力大幅提升。

聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。

聯穎光電 6 吋廠原先呈現虧損，產能利用率也不佳，但業界傳出，去年下半年以來，晶圓代工市況轉佳，在客戶需求大增下，月產能 4 萬多片持續爆滿，帶動營運轉盈；不過，今年第一季因打消一批貨品認列虧損，導致營運再度轉虧。

市場也傳出，由於產能持續爆滿，加上看好後市 5G、電動車等應用對半導體元件的需求，聯穎光電擬辦理現增籌資，擴增產能，明年產能可望較今年翻倍成長。

聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電日前也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。

〈聯電頎邦結盟〉雙方攜手打群架 深化第三代半導體佈局

鉅亨網記者林薏茹 台北2021/09/03 20:15

晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 及封測廠頎邦 (6147-TW) 今 (3) 日宣布雙方將透過換股，深化上下游合作，交易完成後，聯電將持股頎邦約 9%，除未來將有業外收益入帳，也將與頎邦在第三代半導體領域上合作，聯電強調，「第三代半導體上一定不會缺席」。

聯電與頎邦多年來在驅動 IC 領域就密切合作，雙方客戶重疊性高。聯電財務長劉啟東表示，未來將在驅動 IC 領域，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，讓客戶能有更完整的配套技術，也使聯電中後段生態系能更完整。

除在驅動 IC 領域合作外，聯電近年也積極投入開發化合物半導體氮化鎵 (GaN) 功率元件與射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及 5G 射頻元件；頎邦則在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，封測技術也已量產於砷化鉀 (GaAs)、碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等化合物晶圓。

雙方換股合作後，聯電將成為頎邦最大單一股東，也將透過與頎邦的上下游整合，擴大在第三代半導體領域的布局。

聯電近年來積極投入氮化鎵製程開發，攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，共同跨入氮化鎵、碳化矽等第三代半導體領域，佈局高效能電源功率元件市場，目前相關製程技術仍處於研發階段。

聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，今年上半年虧損約 6270 萬元。

搶攻化合物半導體市場 四大陣營整軍備戰

工商時報 涂志豪 2021.10.18

隨著歐盟及美國在政策上加速電動車轉型，加上能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長，氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等寬能隙材料的第三代化合物半導體市場進入成長爆發期，包括台積電、聯電、中美晶、漢民等四大陣營早已布局多年且蓄勢待發，全力搶攻GaN及SiC龐大晶圓代工商機。

台積電早在2015年就已著手布建矽基氮化鎵（GaN on Si）技術及產能，近年已進入量產階段，除了與意法半導體合作生產車用GaN功率元件與IC，包括Navitas及GaN Systems亦在台積電投片生產100V及650V高壓功率元件。台積電今年已投入第二代GaN增強型高電子移動率電晶體（E-HEMT）量產，100V空乏型高電子移動率電晶體（D-HEMT）進入試產，並打進5G基地台模式供應鏈。

台積電目前有將近20台MOCVD有機氣相層機投入GaN量產，明年預計再增加10台設備擴產。而台積電轉投資世界先進近幾年在8吋GaN on Si研發順利進行，今年底將開始試產送樣，進行產品設計客戶超過10家，明年可望進入量產階段，業界傳出已爭取到國際IDM大廠訂單。

聯電將旗下6吋廠作價給轉投資的聯穎光電，投入功率元件及砷化鎵（GaAs）晶圓代工，而聯電目前著手進行GaN on Si技術開發，未來聯穎會是主要生產基地，且未來會考慮提供8吋晶圓代工。相較於其它陣營，聯電重視生產鏈前後段整合，日前與頎邦換股結盟，將生產線延伸到GaN晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）等代工市場。

中美晶集團在GaN及SiC領域著重上下游垂直整合，環球晶6吋SiC磊晶基板年底月產能可達5,000片，6吋GaN on Si磊晶基板已開出每月2,000片產能，難度最高的4吋GaN on SiC磊晶基板已小量出貨，6吋產能將在明年開出。中美晶轉投資宏捷科扮演晶圓代工要角，已投入GaN on Si及GaN on SiC技術開發及產能布建。至於朋程則投入SiC MOSFET功率元件設計，明年下半年可望延伸產品線到電動車應用。

漢民集團旗下漢磊及嘉晶在GaN及SiC布局多年有成，頻藉與國際IDM廠多年合作關係，近年來已陸續完成產能布建並進入量產。漢磊與特定客戶合作開發0.5微米的30V～350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN E-HEMT製程已進入量產，4吋SiC蕭特基二極體及SiC MOSFET進入量產，6吋SiC晶圓代工將在明年開始量產。嘉晶則是國內唯一擁有量產GaN與SiC磊晶基板的供應商。

MOSFET缺貨、6吋廠接單滿手 聯穎光電、漢磊飆漲

2021/08/31 05:30

〔記者洪友芳／新竹報導〕MOSFET（金氧半場效電晶體）、二極體等分離式元件供不應求，帶動晶圓代工6吋廠接單滿手，除了茂矽（2342）、漢磊（3707）、元隆（6287）等產能全數滿載外，聯電轉手給旗下轉投資的聯穎光電6吋廠產能也爆滿，今年可望延續去年繳出獲利成績單，而漢磊與聯穎光電更挾亦發展熱門化合物半導體，上櫃及未上市股價更是水漲船高。

下半年可望逐季漲價

半導體業界指出，疫情帶動遠距需求激增，加上5G發展，使得市場對高速運算、人工智慧、物聯網與車用電子需求持續增加，晶圓廠產能供不應求，從8吋廠滿載外溢到6吋廠；國際整合元件（IDM）廠又優先支援車用晶片，加上近期馬來西亞疫情轉趨嚴峻，IDM廠無法正常生產營運，使得MOSFET、二極體等分離式元件產能缺口拉大，各家6吋廠紛紛被客戶追產能。

茂矽向董事會提擴產計畫

茂矽、漢磊、元隆等產能全數滿載，茂矽上半年轉虧為盈，漢磊、元隆則第2季轉為獲利；市場預期，以目前市況供不應求來看，下半年可望延續上半年逐季調漲價格的走勢，這將有利於各家6吋廠持續獲利。

茂矽指出，公司評估產能不足，已向董事會提出擴產計畫，但現今設備難覓是一大問題。

業界也指出，聯電多年前將旗下6吋廠作價4億多元轉給轉投資的聯穎光電，原本6吋廠呈現虧損、產能利用率也不佳，但從去年下半年以來，月產能4萬多片持續爆滿，帶動營運轉虧為盈；聯電持股聯穎光電89%，去年財報認列投資獲利5600多萬元。

漢磊股價水漲船高

聯穎光電6吋廠生產CMOS製程的二極體、MOSFET外，也生產砷化鎵、濾波器等，身負聯電布局化合物半導體的研發廠區，挾發展熱門化合物半導體的利多題材，聯穎光電近期在未上市股價已超過70元，與漢磊同為6吋廠股價飆漲股。

強勁電動車需求為功率電子及化合物半導體開創產業新動能

電動車朝低耗能、高效率及小型化趨勢發展，不僅使碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為當紅炸子雞，矽光子(Silicon Photonics)技術更備受矚目。

迎接5G及自駕車時代，為協助洞悉功率元件及三五族半導體材料的市場先機，SEMI於12月4日召開功率暨化合物半導體委員會議，聚集來自台達電子、穩懋半導體、漢磊科技、聯穎光電、中科院及功率元件設計、封裝委員代表參與，此次會議特別邀請來自台達電能源基礎建設解決方案技術經理Peter Barbosa、Yole Développement執行長暨總經理Jean-Christophe Eloy、科技部矽光子計畫主持人，同時也是台灣科技大學特聘教授李三良博士進行主題演講。

回顧今年，在委員會的帶領下分別舉行三場會議持續針對功率元件測試、封裝以及光電半導體技術與應用做討論，並於SEMICON China期間舉辦功率化合物半導體兩岸交流活動、SEMICON Taiwan國際半導體展技術論壇及午宴聯誼活動，聚集超過230位、來自13國家的功率暨化合物半導體領域的專家；並成功邀請到北京中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟來台參展，與台灣業者進行交流。 

隨特斯拉(Tesla)與知名車商Jaguar、奧迪、保時捷等陸續推出電動車款，電動車市場規模日益壯大。電池是電動車主要的成本之一，近年電池能量密度提高，電池價格已經快速下降，有助於提振電動車需求。台達電技術經理Peter Barbosa看好電池市場潛力，估計2015年到2020年電動車複合成長率（CAGR）達36％；2020年到2025年複合成長率將飆升至45％，主要成長力道來自於歐盟、中國和美國市場。

材料方面，第三代半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)具備耐高溫、耐高壓、電阻小、電流大與低功耗等特性，將逐步取代矽。從技術上來說，SiC適用於高功率DC/AC變頻器，而GaN則更適合用於低功率DC/DC和AC/DC轉換器。Yole執行長暨總經理Jean-Christophe Eloy指出，SiC功率裝置市場規模2017到2023年複合成長率將達31％，產值在2023年將可望衝破15億美元。

另一項值得關注的是矽光子(Silicon Photonics)。矽光子藉由將「電訊號」改為「光訊號」來傳遞的晶片，以提高傳輸距離、增加資料頻寬與降低單位能耗。由於矽光子技術涵蓋領域廣泛分散，現階段在整個產業還沒有形成穩定的競爭格局，應用產品並不多。儘管如此，台灣矽光子產業鏈發展晶圓代工模式已見端倪，像是台積電及聯電皆已投入研發。

科技部矽光子計畫主持人李三良教授指出，台灣半導體產業龐大、專業分工，半導體製造生態系統完整，非常適合發展矽光子技術。他建議產學研攜手建立國家級團隊，增加國際競爭力。除了倚賴台灣產業界強大的光電技術與IC製程能力外，配合官方與學研資源打造矽光子共同平台，應可複製先前IC產業成功的經驗。有鑒於此，SEMI也將邀請光電半導體相關業者以打造光電半導體產業生態系統平台，協助連結產業與政府資源創造更多技術合作機會。

展望2019，SEMI將持續經營功率電子及化合物半導體領域。2019年9月18 - 20日 SEMICON Taiwan 國際半導體展期間，將規劃「功率電子暨光電半導體技術論壇」，並首次登場「化合物半導體創新應用館」製造展示區，展示 BMW i3 實體電動車，完整呈現其中相關重要的電子元件與光電技術，並邀請到設計、製造、封裝及系統業者進行技術展示，完整展現台灣在化合物半導體產業的技術能量，並創造更多商業合作的機會，結合技術論壇及商業媒合聯誼活動，加速技術突破與跨界合作。

晶圓代工大廠積極投入GaN制程開發

近來，晶圓代工廠積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 GaN 制程也預計年底送樣，聯電同樣積極投入 GaN 制程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示，GaN 制程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測組件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工制程均已量產；台積電今年 2 月也宣佈結盟意法半導體，意法將採用台積電的 GaN 制程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多，與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。 

聯電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場

晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣，聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產；台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將採用台積電的 GaN 製程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

氮化鎵應用前景 台積電也認同 預期未來將廣泛、大量被使用

晶圓代工廠近來積極佈局半導體新材料 GaN(氮化鎵) 晶圓代工，台積電 (2330-TW) 總裁魏哲家在今年股東會上更表示，雖然目前還是小量生產中，但預計以後會廣泛、且大量被使用，相當看好未來氮化鎵應用前景。

台積電目前已小量提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務，650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術平台，預計今年開發完成。今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將採用台積電的氮化鎵製程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

魏哲家日前在股東會上則說，氮化鎵製程技術目前進展不錯，符合客戶要求，擁有高效能、高電壓等特性，但目前還是小量生產，預計未來將廣泛、且大量被使用。

除台積電外，世界先進 (5347-TW) 在氮化鎵材料上已投資研發 4 年多，與設備材料廠 Kyma、及轉投資氮化鎵矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。

聯電 (2303-TW) 也同樣積極投入氮化鎵製程開發，攜手 6 吋砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎，佈局高效能電源功率元件市場。氮化鎵製程開發是聯電現有研發計畫中重點項目之一，目前仍處於研發階段，初期將以 6 吋為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。

 

光電業進軍舊金山 成果豐碩

經濟部國際貿易局為協助光電業者搶攻美國市場商機，委託外貿協會組團前往舊金山，參加於莫斯康展覽中心隆重登場的「美國西部光電展（SPIE PHOTONICS WEST）」，成果亮麗。

外貿協會表示，該展為全球光電領域重要會議暨展覽盛會，由全球光電及雷射應用領域權威機構-國際光學工程學會（SPIE）主辦，今年吸引1,350家參展商，湧入超過23,000位專業人士到場參觀。

台灣參展廠商包括和蓮光電、亞洲光學、揚明光學、聯穎光電、宏明科技、騰錂鐳射及成大微奈米科技研究中心等，展出各類光學材料及光學組件、光學鏡頭、可變波長光源系統、光通訊波分覆用器、透鏡陣列、KW級光纖雷射零組件、智慧晶片及微奈米檢測等產品及技術。

揚明光學首度參與展會，以光學模組及光學零組件之設計、製造、量產的一條龍專業技術為主，此次展出光學零組件與微投影模組，積極搶攻展智慧家居及車用市場，開展後即吸引不少買主駐足詢問，產品相當受買主歡迎。

和蓮光電展示以矽基型液晶空間光調變器LCoS-SLM、微型LED啟動套件、數位調製以及先進的矽背板技術，多次參展已累積眾多的客戶群，展覽期間吸引大量買主不斷前來參觀及詢問，展覽成效相當良好。

亞洲光學為全球第一大光學元件廠，深耕光學領域多年，並有完整的產品及技術垂直整合能力，隨著車載及光通訊市場需求快速成長，現場也吸引許多目標客戶來訪，未來商機備受看好。

抗高溫／高壓 化合物半導體市場成長可期

化合物半導體並不是新穎的技術，早在1995年手機問世時化合物半導體即被大量地應用於射頻（RF）應用中；隨著時間的推演，又從手機推展至各項領域的應用，直至今日每個人都可以享受到化合物半導體所帶來的各項好處。

在汽車的應用中元件具有抗高溫的特性相當重要。

聯穎光電副總暨技術長林嘉孚認為，5G將成為化合物半導體下一個最為重要的應用，未來無論是手機、基地台，或者是存取點等應用，皆需要化合物半導體才能完成；而在汽車應用中LiDAR（光達）、V2X，ADAS的技術 基本上也需要藉由化合物半導體加以實現，所以此類材料的應用範疇相當廣泛，只要是需要無線傳輸的技術，都可以看見化合物半導體參與其中。

據了解，化合物半導體元件市場，於2015年時市場規模約為240億美元，而到了2020年將達到440億美元，年複合成長率約為12.9％，優於整體半導體市場6.5％。

目前LED的應用仍是化合物半導體最大的市場，約佔市場營收的60％；而成長速度最快的是高功率／高電壓相關應用，林嘉孚指出，目前此類的應用大部分採用矽晶做為其內部元件，但矽晶有著電源轉換效率較差的問題，往後若是汰換成氮化鎵等化合物半導體，電流轉換效率可大大地提昇。

舉例來說，電動車應用，中目前轉換效能最高的必屬化合物半導體莫屬，且其具有足夠的能力可抗高溫與高壓，而在汽車的應用中具有抗高溫的特性相當重要。

在射頻方面，林嘉孚認為，過去的二十年RF帶動了化合物半導體應用的成長；到了現在，因為應用成熟，所以市場呈現趨緩的情況，不過在未來的RF應用中化合物半導體仍不會缺席。

台灣一直都是半導體大國，林嘉孚表示，在半導體產業中磊晶成長、製造技術、製造工具、封裝技術、設計，以及測試蔚為一套生態系統，且其技術跨越障礙相當高；台灣一直有良好的半導體生態系統，所以若是將相同的生態系統套入化合物半導體中，台灣仍具有相當大的優勢。

林嘉孚認為，台灣的優勢在於人才眾多，且並無受到許多法令的管制，因為許多射頻的應用，都牽涉到法令的管制，在中國大陸方面有一定發展的侷限，所以此一領域中台灣仍可保持領導的地位。

1 杯咖啡，偷走億元砷化鎵關鍵技術

財訊》獨家取得美國 FBI 調查報告，掀開中國成都嘉石科技過去 8 年，如何在美、台兩地，用高位和高薪利誘工程師，突破美國高階通訊晶片的技術封鎖。間諜案中一個關鍵場景，竟在林口星巴克門市。

農曆年前的 2 月 3 日，一則少有人關注的新聞刊登在報紙上，標題寫著：「涉嫌出口軍事晶片到中國，台裔教授被拒保釋」，但熟悉內情的科技界人士都知道，這是一起橫跨美、中 、台三地半導體產業間諜案的關鍵轉折。

一家星巴克成技術突破口

林口的咖啡廳變交易大本營

事件主角是位於成都的嘉石科技（後更名為海威華芯），過去 8 年，他們在美國矽谷和台灣桃園布下了綿密的產業間諜網，不但造成台灣砷化鎵產業投資價值達 75 億元以上的研發成果，被嘉石科技輕易取得，還有可能讓中國取得生產先進軍用雷達關鍵元件的技術能力，改寫中美兩國之間的遊戲規則。更令人驚訝的是，中國突破美國設下的技術障礙，突破口之一，竟是位在新北市林口復興北路的一家小小星巴克門市。

故事從 2011 年開始談起。這一年，美國開始調查，中國中興通訊把美國禁止出售的通信設備賣給伊朗電信，根據美國司法部調查，為了繞過美國禁運的禁令，中興還特別組成一支 13 個人的小組美化財報，所有和伊朗案有關的電子郵件，每天都會自動被系統刪除。

中興為何如此戒慎恐懼？因為，中興雖然能賣電信系統，但其中和通信相關的晶片，卻全都由美國公司提供，通信晶片用的多半是化合物半導體，例如，一種稱為砷化鎵的技術，少了這種半導體技術，即使像中興這樣的中國國家隊企業，都做不出電信設備。

2010 年，一家叫嘉石科技（後改名為海威華芯）的公司在成都成立。嘉石原本只是一家 5 億元人民幣資本額的小公司，砷化鎵技術也遲遲沒有突破，但這家公司和中國官方關係深厚。嘉石總經理高能武，是中國電子科技集團公司（簡稱中電科）第二十九研究所的主任研究員，百度百科的資料寫明，中電科是直屬國務院的大型國企，「是軍工企業的國家隊」，從雷達方陣、衛星技術，甚至太空通訊用的電子系統都由二十九所負責開發。

台灣重量級專家在美被捕

石宇琦把 MMIC 技術賣給中國

《財訊》取得美國司法部引用 FBI 幹員的調查報告指出，從 2011 年開始，嘉石科技找到一個來自台灣的重量級專家石宇琦（Yi-Chi Shih）出任總裁（President）。石宇琦的經歷顯赫，他和美國軍方關係密切，根據《財訊》取得的訴狀，石宇琦曾在 1982 到 1984 年間擔任美國海軍研究生院（Naval Postgraduate School）電機系副教授。接著，他到美國大型軍火公司，負責單片氮化鉀微波集成電路晶片（MMIC）設計與開發。石宇琦確實是這方面的技術高手，因為 1997 年，他成立一家 MMCOMM 公司，開發先進的點對點通訊技術和雷達技術。2007 年，他再把這家公司賣給美國大型軍火商。從美國訴狀的內容可以看出，石宇琦 20 多年的職業生涯，大部分和美國軍火工業打交道。

沒想到，2018 年 1 月 19 日，石宇琦卻在美國被捕，罪名是涉嫌向中國出口受管制的敏感技術與晶片及跨國洗錢，最高可判 25 年重罪，關鍵就在於他把他最擅長的 MMIC 晶片賣到中國。

2010 年時，嘉石科技和成都雷電微力合作開發晶片，根據美國司法部訴狀指出，這兩家公司和西安兵器工業集團第 206 研究所合作，開發雷達用的晶片架構，兩家公司再成立一家叫成都嘉納海威的公司，負責生產石宇琦最擅長的 MMIC 晶片。成都雷電微力的總經理則叫陳亞平（Chen Yaping，音譯）。

2010 年，一筆 100 萬美元巨款從 Chinatrust（中國信託）銀行匯進石宇琦任總經理的 Pullman Lane 公司，陳亞平的名字反覆在匯款名單出現，特別的是，石宇琦一輩子在做晶片，他成立並親自經營的公司，登記的營業項目卻是「影片拍攝」，計劃進軍娛樂業。從訴狀中石宇琦往來的信件內容可以看出，他正打算透過在新加坡和北京的創投公司，和嘉石合作，再做一筆大生意。從 2010 年之後，他在美國、加拿大、香港布建了複雜的金流和人脈網，反覆刺探美國最尖端的半導體技術。

台廠技術早就被中資鎖定

一家成都公司不擇手段竊取營業祕密

最關鍵的一天，是 2013 年 12 月 26 日；這一天，石宇琦透過他能控制的影子公司，從美國最尖端的晶片公司，買下一批 MMIC 晶片；同一天，他花十幾萬美元製作完成的晶圓片，寄到加州的人頭手上，要買到這批晶片，必需不斷簽下保證不出口美國的同意書，但一收到晶片，他就透過電子郵件下令，用最快的速度，以 FedEx（聯邦快遞）寄到香港另一個人頭手上，報關項目只簡單填「玻璃樣品」並虛報商品價值只有 100 美元。信件寄到當天，香港的人頭就收到通知，會有人從北京將這批晶片帶走。透過石宇琦建立的網路，嘉石科技開始建立氮化鎵等尖端化合物半導體的製造能力。

設計是一回事，要能量產尖端的化合物半導體，仍然十分有挑戰性。2015 年，中國最大的飛機維修公司海特高新增資嘉石科技 5 億 1 千萬人民幣，準備量產化合物半導體晶圓，嘉石總經理高能武於是把目標指向台灣，希望補齊這塊技術缺憾的最後一片拼圖。

第一個關鍵人物，是台灣人楊光宇，他原本是台灣聯穎光電的研發經理，根據《自由時報》報導，楊光宇在 2013 年從聯穎離職後曾到嘉石工作。2015 年，高能武改聘楊光宇為顧問，並把他派回台灣，檢方認為，任務就是在台灣竊取量產砷化鎵的關鍵技術。

做砷化鎵晶圓並不容易，砷化鎵最頂尖的製程，就是 6 吋的砷化鎵晶圓，當時中國沒有任何一間公司能生產，就連台灣大廠穩懋都是咬牙苦撐，投資多年之後，才在 2007 年發展出量產技術，讓公司轉虧為盈，因而拿下全球頂尖半導體公司 Avago（安華高，後購併博通）的生產代工訂單。

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聯穎光電內鬼 盜賣機密給對岸
新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電澹姓研發工程師涉嫌出賣內部機密文件給大陸某高科技公司，根據了解，他所賣出的砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品資料，可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備中，27日前往公司搜索並約談到案，依《營業秘密法》移送法辦。

近年大陸將砷化鎵及氮化鎵晶片研發列為經濟重點發展項目，計畫在北京、成都及福州等地建廠量產，不惜重金投資設備並挖角人才，部分當地不肖廠商甚至長時間在台部署商業間諜，有計畫地從外部收買或安排人員在標的企業任職以竊取營業秘密。

檢調去年11月追查穩懋案商業間諜案，後續查出聯穎光電澹姓研發工程師也與楊光宇合作，出賣聯穎光電內部機密文件，意圖竊取同類型營業秘密。

根據了解，聯穎光電生產砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品，可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備，為民間及軍方設備所不可或缺的零組件，相關技術受到管制不得輸出至大陸地區。

澹姓工程師擅自重製並提供內部技術資料及相關產品進度等資訊，給楊光宇在大陸工作時參考，獲取所需機密資料後，即給予數萬元不等報酬，桃市調處與新竹市調查站聯手偵辦，搜索澹姓工程師住家及公司電腦及其辦公桌資料。

台積電也爆內鬼洩密？工程師偷28奈米機密 跳槽大陸科技公司

台積電遭離職工程師於任職期間內，非法重製營業秘密案件，經新竹地檢署偵查終結提起公訴。起訴書指出，台積電公司吳姓工程師於任職期間即106年9月間，非法重製28奈米之重要製程相關文件，擬於106年12月份離職後，攜出至中國無錫華潤上華科技有限公司任職，意圖在中國使用非法重製營業秘密。

全案經檢方偵查終結，檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法意圖在大陸使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌，以及刑法背信罪嫌，將全案提起公訴。

起訴書指出，台積電吳姓工程師於106年9月任職期間，非法重製有關臺積電公司28奈米重要製程相關文件，擬於106年12月份自台積電離職後，攜出至大陸無錫華潤上華科技有限公司任職，意圖在大陸地區使用上開非法重製之營業秘密。

全案業經偵查終結，檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法第13條之2第1項、第13條之1第1項第2款之意圖在大陸地區使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌及刑法第342條第1項之背信罪嫌，對被告提起公訴。 

華潤集團在1997年成立華潤上華半導體，正式進軍半導體領域。隨後以購併方式擴大業務，目前擁有6吋及8吋晶圓代工廠，製程可達到0.11微米，服務消費電子的IC客戶。除代工外，華潤微電子也擁有自己的IC設計公司、封裝測試及分離式元件等半導體服務。

 

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