漢辰科技現在市場行情是多少呢??
漢辰科技股價如何呢??
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但都建議可以直接聯繫交流討論
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市場上常常有來路不明的訊息
號稱即將上興櫃
引誘人投資
未上市股票因為是私人間交易
相較上市櫃股票而言
會有流動性風險
產生想變現也無法變現的狀況
所以投資一定要多多了解公司
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漢辰科技股份有限公司(Advanced Ion Beam Technology, Inc. AIBT)成立於1999年美國矽谷，並在新竹與台南科學園區設立營業總部與製造中心；漢辰科技網羅了離子植入技術最頂尖的開發人才及對半導體製程應用獨具經驗的專家，專心致力於半導體核心製程設備的研發與製造。
過去五年漢辰科技開發製造的低能量高電流離子植入機所植入的離子，正在默默地推動著這世界28奈米邏輯與通訊晶片的高性能運作；在和技術領先的半導體製造公司的長期合作下，漢辰科技正在複製28奈米製程的成功模式於下一世代更先進的奈米製程，同時也將最關鍵的製程設備技術根植於台灣。
公司基本資料
| 統一編號 | 80468415 |
| 公司狀況 | 核准設立 |
| 股權狀況 | 僑外資 |
| 公司名稱 | 漢辰科技股份有限公司 (出進口廠商英文名稱：ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.) |
| 章程所訂外文公司名稱 | |
| 資本總額(元) | 500,000,000 |
| 實收資本額(元) | 450,000,000 |
| 每股金額(元) | 10 |
| 已發行股份總數(股) | 45,000,000 |
| 代表人姓名 | 黃民奇 |
| 公司所在地 | 新竹科學園區新竹縣研新一路18號5樓 |
| 登記機關 | 科技部新竹科學園區管理局 |
| 核准設立日期 | 092年08月21日 |
| 最後核准變更日期 | 109年03月06日 |
| 複數表決權特別股 | 無 |
| 對於特定事項具否決權特別股 | 無 |
| 特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利 無 | |
| 所營事業資料 | CB01010 機械設備製造業 CC01080 電子零組件製造業 I501010 產品設計業 ZZ99999 除許可業務外，得經營法令非禁止或限制之業務 研究、開發、生產、製造、及銷售下列產品： 離子植入機(Ion Implanter) |
董監事持股
| 序號 | 職稱 | 姓名 | 所代表法人 | 持有股份數(股) |
|---|---|---|---|---|
| 0001 | 董事長 | 黃民奇 | 302,000 | |
| 0002 | 董事 | 許金榮 | 202,000 | |
| 0003 | 董事 | 陳溪新 | 0 | |
| 0004 | 監察人 | 楊乃千 | 0 | |
公司新聞
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強化產研合作—漢辰科技贈國研院奈米中心先進半導體設備
漢辰科技捐市價 1 億元機台予NDL
【經濟日報╱記者李珣瑛 即時報導】為促進半導體產業進步、提升研發能量，漢辰科技(AIBT)，19日由漢辰科技董事長黃民奇代表捐贈先進半導體製程機台「高電流離子植入機」予國研院國家奈米元件實驗室(NDL)，由實驗室主任楊富量代表接受。
漢辰科技董事長黃民奇表示，捐贈先進半導體製程機台予國研院奈米中心，以設備為平台提供國內更多產學界先進使用，強化半導體人才養成的動能、獲取良好的研發成果；除了捐贈機台外，更期待藉著國研院奈米中心的技術優勢，進一步合作，促成先進製程的研發，共同為離子植入技術擦出新的火花。
NDL主任楊富量指出，這部市價超過1億元的機台，堪稱是目前本土儀器廠商所完成的最貴重機台。該機台在兩年前就已打入台積電32奈米製程的供應鏈，目前也與台積電合力投入22奈米的製程研發。其他國際大廠，例如Global Foundries也欲將其導入40奈米的製程中。
楊富量說，這部淺接面高電流離子植入機是先進半導體元件製程裡不可或缺的機台，台灣沒有一個學校或研究單位買得起這種機台，全世界的研究單位大概也只有美、日、歐盟各有一台。
我認為，學術和前瞻研究的最大價值就在於無中生有，而無中生有的本益比才是最高的，因為分母是零。舉個例子，我們NDL在上個月剛剛發表全球第一個16奈米元件技術，我們從這個先期研究中，當然就會先看到問題，也會先去想解決方法，希望這些先期研究的寶貴經驗，可以提供給漢民和漢辰科技。
台積電與漢辰正積極研發新製程與設備技術。由於半導體進入10奈米製程世代後，電晶體的微縮將面臨物理極限，亟需新的材料、製程與設備加以克服；因此台積電與漢辰皆已針對未來可望取代矽的鍺和三五族元素，分別投入發展新的晶圓製程，以及離子布植(Ion Implant)設備，期能在下一個半導體世代中，繼續站穩市場。
工研院IEK系統IC與製程研究員蕭凱木表示，10奈米以下先進製程發展正面臨材料與設備革新的雙重問題。儘管多數業者均看好鍺或三五族元素可有效改善電晶體通道的電子和電洞遷移率，然而新材料卻也引發更複雜的半導體摻雜(Doping)技術、工具需求，因而帶動英特爾(Intel)、IBM、台積電，以及半導體設備廠加緊研究新製程與設備。
其中，台積電近來積極卡位，不僅已加入由國家實驗研究院主導的奈米元件創新產學聯盟，擴大10奈米以下製程技術的產學合作；更密集部署高介電係數的晶圓閘極氧化層材料，期在電晶體線寬微縮及通道材料換新後，同步提升閘極控制能力，降低晶片整體耗電量。
蕭凱木更強調，隨著10奈米製程導入新材料，並轉向鰭式電晶體(FinFET)的立體結構，晶圓製程順序也將大幅改變，因此台積電目前也已開始研擬新的晶圓生產流程。
此外，鍺和三五族元素能隙較小，雖可提升電晶體的電子移動速度與能源效率，但相對也造成較差的阻斷狀態(Off-state)效能，容易導致漏電流情形。對此，蕭凱木指出，未來半導體業者須改良摻雜製程，取得新材料比例平衡點，才能真正體現其應用價值。現階段，漢辰正全速開發10奈米以下製程的離子布植設備，可望搭配新材料達成電晶體源極、汲極與通道最佳化設計。
不過，蕭凱木認為，10奈米以下製程仍需要好幾年的時間發展，對半導體設備商、晶圓及封測廠而言，今年能否順利推動三維晶片(3D IC)商用才是刺激營收成長的關鍵。
由於3D IC須導入晶圓矽穿孔(TSV)、堆疊製程，以及新的立體結構封測方法，因此台積電近來持續擴充旗下CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)製程的封測技術和合作夥伴，以加速布建3D IC一條龍生產線；此外，設備廠科磊(KLA-Tencor)也從2012下半年開始，就積極在國際研討會或展會中提出新的晶圓缺陷檢測概念。
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