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穩晟材料股價參考
穩晟材料公司簡介
穩晟材料科技為專業碳化矽(SiC)技術、材料及設備供應商,在業界耕耘多年,熟稔各式半導體及單晶晶體生長技術,以及領先業界之晶圓加工製程技術。公司設立起,我司即關注碳化矽技術及市場的發展,對各方面的資訊具有一定程度了解。碳化矽元件的優秀特性勾勒出美好的應用前景,碳化矽材料早期的發展與國防工業、航太工業息息相關,技術長期被領先國政府管制輸出造成市場寡佔,相關技術無法取得的情形下,我國現今雖然位居全球半導體大國,但在碳化矽晶體開發上仍停留在啟蒙階段,因此也滯礙了中下游功率半導體廠商投入的進程。
全球碳化矽元件以每年60~70%年成長率增加的市場規模來看,後勢十分看好,需提早佈局以因應成長階段所伴隨的市場先機。此外,以碳化矽晶體生長的投資環境條件來看,我國遠優於美、日、德等技術領先國家,我司企盼促進國內碳化矽半導體產業蓬勃發展、提升我國在寬能隙功率半導體領域的國際競爭力。傳統以矽為材料的功率半導體,正逐漸面臨發展瓶頸,而具有比矽更低導通電阻及更高切換速度的碳化矽功率器件以其優異的高耐壓、低損耗、高導熱率等優異性能,有效實現電力電子系統的高效率、小型化和輕量化。
穩晟材料科技對比當前德國、美國、俄羅斯多家企業的碳化矽長晶技術及設備製造廠家,選定與日本廠商共同合作,專注開發昇華法(Phase Vapor Transport, PVT)法製造4~6寸碳化矽4H半絕緣晶體。我們整合了國內碳化矽領域的技術專家,建立碳化矽長晶、晶圓加工生產線,致力於開發高品質大尺寸碳化矽長晶及晶圓加工技術,最終目標實現長晶、晶圓加工製造、設備及關鍵材料的推廣和銷售,積極推動碳化矽材料的上中下游產業,力爭實現碳化矽全產業鏈的國產化。目前穩晟材料科技已準備替國內相關政府單位及多家產業公司,建立碳化矽產業基地,相信在國家及民間企業的支持和推動下,穩晟材料科技將成為世界專業的碳化矽材料供應廠商。
資料來源:穩晟材料官網
穩晟材料公司基本資料
統一編號 | 66530260 |
公司狀況 | 核准設立 |
股權狀況 | 僑外資 |
公司名稱 | 穩晟材料科技股份有限公司(出進口廠商英文名稱:WINSHENG MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD.) |
章程所訂外文公司名稱 | |
資本總額(元) | 300,000,000 |
實收資本額(元) | 250,600,000 |
每股金額(元) | 10 |
已發行股份總數(股) | 25,060,000 |
代表人姓名 | 邱麗 |
公司所在地 | 新北市瑞芳區魚坑路191 |
登記機關 | 新北市政府 |
核准設立日期 | 106年03月27日 |
最後核准變更日期 | 110年10月14日 |
複數表決權特別股 | 無 |
對於特定事項具否決權特別股 | 無 |
特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利 無 | |
所營事業資料 | CC01080 電子零組件製造業 CC01990 其他電機及電子機械器材製造業 F106010 五金批發業 F206010 五金零售業 F113020 電器批發業 F213010 電器零售業 F113030 精密儀器批發業 F213040 精密儀器零售業 F113070 電信器材批發業 F213060 電信器材零售業 F119010 電子材料批發業 F219010 電子材料零售業 F213080 機械器具零售業 F213990 其他機械器具零售業 F401010 國際貿易業 ZZ99999 除許可業務外,得經營法令非禁止或限制之業務 |
穩晟材料董監事資料
序號 | 職稱 | 姓名 | 所代表法人 | 持有股份數(股) |
---|---|---|---|---|
0001 | 穩晟材料董事長 | 邱麗 | 2,100,000 | |
0002 | 穩晟材料董事 | 朱閔聖 | 1,486,000 | |
0003 | 穩晟材料董事 | 曾永富 | 225,000 | |
0004 | 穩晟材料董事 | 潘冠呈 | 英屬維京群島商矽望投資有限公司 | 11,550,000 |
0005 | 穩晟材料董事 | 何嘉哲 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 2,750,000 |
0006 | 穩晟材料監察人 | 郭崧茂 | 250,000 | |
資料來源:商工登記
穩晟材料公司新聞
A+計劃補助電動車產業 驅動系統、晶片和SiC衍生投資3億元
【CTIMES/SmartAuto 陳念舜 報導】 2024年04月30日 星期二
為提升當前電動車主快充體驗與滿足長續航里程等需求,關鍵系統技術正持續進步。經濟部也在近期「A+企業創新研發淬鍊計畫」決審會議中通過3項計畫,分別從電動車驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽(SiC)元件的品質控制方面創新技術和提升產業,預期衍生投資逾新台幣3億元、創造產值新台幣340億元,將為台灣產業轉型和永續發展注入新動力。
其中為解決現今電動車動力系統面臨的挑戰,由鴻華先進科技與鴻海精密工業公司共同合作的「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」,開發首部高電壓、高效率、高功率與高度整合的次世代電驅動系統,並以自製Model C電動車作為實車驗證平台,充分發揮鴻華先進整車平台驗證能量。
未來將利用鴻海前瞻技術發展及生產製造技術優勢垂直整合,預計開創3萬套/年供應需求,整車產值約300億/年,持續帶動台灣產業鏈技術升級超越國際水準,為台灣電動車邁向兆元產值創造新利基。
且基於人工智慧(AI)帶來高運算需求推動半導體晶片持續微縮至物理極限,異質整合及未來先進封裝趨勢,友威科技也積極投入半導體封裝設備,推動「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」,利用智慧化背金屬濺鍍系統,解決5G、AI高速運算晶片散熱、抗干擾難題;並確保基板自動除溼(de-gas)完整,且對濺鍍膜層監控,搶進高階封裝市場。
生產部分則萃取大數據特徵,達到生產可視化、品質異常診斷監控及設備的異常預警,大幅提高設備生產良率。在不影響客戶生產、產品品質與機台運作下,進行高耗能元件智慧降載調整,預期現今高階封裝服務客群包含品牌客戶、晶圓代工廠、封測代工廠、IDM(Integrated Device Manufacturer)等,未來3年市場產值達新台幣30億元。
此外,隨著電動車市場興起讓SiC高功率元件的發展也備受矚目,預計2027年全球應用需求將達63億美元,年複合成長率(CAGR)達34%。但SiC現況供不應求,產能無法提升的主因為長晶技術門檻高、時程冗長,且傳統瑕疵檢測方法耗時費力。
睿生光電與穩晟材料聯合開發的「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」,則利用主導公司睿生光電在關鍵X光平板感測器設計製造優勢,研發工業用高解析度平板感測器。經過X光源的穿透性,開發碳化矽晶錠3D重建演算法;並結合OCT(Optical Coherence Tomography)光學斷層掃描技術,導入AI辨識技術與X光影像處理演算法,打造業界首創碳化矽AXI(Automatic X-ray Inspection)複合檢測系統,提供對於碳化矽晶球、晶錠、晶片的一條龍檢測技術。
藉此建立非破壞性SiC晶錠/球/片的缺陷檢測方案,並於聯盟公司穩晟材料進行場域應用驗證,導入AI以非破壞性檢測方式辨識缺陷,有效縮短長晶檢測時間,預計可帶動/衍生投資新台幣3.2億元、創造產值新台幣10億元。
經濟部補助鴻華先進與鴻海精密 首創800V電驅動系統 結合Model C電動車運行實證
種類:本部新聞 發布單位:產業技術司 發布日期:2024-04-29 12:00
經濟部於113年4月3日召開A+企業創新研發淬鍊計畫113年度第2次決審會議,會中通過3項計畫:鴻華先進科技與鴻海精密工業共同合作之「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」、友威科技「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」、睿生光電與穩晟材料聯合開發之「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」,上述3項計畫著眼於電動車產業應用,分別從驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽元件的品質控制等方面進行技術創新和產業升級,預期衍生投資逾新臺幣3億元、創造產值新臺幣340億元,將為臺灣產業轉型和永續發展注入新動力。
一、「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」—首創國內應用於電動車高電壓、高效率、高功率與高度集成之次世代電驅動系統:
隨氣候變遷與能源消耗日益關注及2050年淨零排放趨勢,電動車市場正處於成長階段,為提升用戶快充體驗與滿足長續航里程等需求,關鍵系統技術亦持續進步。為解決現有電動車動力系統面臨之挑戰,鴻華先進科技股份有限公司與鴻海精密工業股份有限公司共同發展次世代電驅動系統,帶動國內產業技術升級,優於國際水準,並以國產電動車型(Model C)作為實車驗證平台,充分發揮鴻華先進整車平台驗證能量與鴻海前瞻技術發展及生產製造技術優勢,計畫成果將應用於鴻華先進開放平台與車型等,垂直整合國內產業鏈帶動產業升級,預計開創3萬套/年供應需求(整車產值約300億/年),立足臺灣、放眼全球,開創國際市場,為臺灣電動車邁向兆元產值創造新利基。
二、「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」–以智慧化背金屬濺鍍系統解決5G、AI高速運算晶片散熱、抗干擾難題,搶進高階封裝市場:
AI帶來高運算需求推動半導體晶片持續微縮至物理極限,有感於異質整合及未來先進封裝趨勢,友威科技股份有限公司積極投入半導體封裝設備開發:前瞻背金屬濺鍍設備導入智慧製造系統,確保基板自動除溼(de-gas)完整及濺鍍膜層的監控;生產部分萃取大數據特徵,做到生產可視化、品質異常診斷監控及設備的異常預警,大幅提高設備生產良率,在不影響客戶生產、產品品質與機台運作下,進行高耗能元件智慧降載調整。預期高階封裝服務客群包含品牌客戶、晶圓代工廠、封測代工廠、IDM(Integrated Device Manufacturer)等,未來3年市場產值達新臺幣30億元。
三、「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」—業界首創碳化矽複合檢測系統,導入AI以非破壞性方式辨識缺陷,有效縮短長晶檢測時間:
隨著電動車市場興起,碳化矽(SiC)高功率元件的發展也備受矚目,預計2027年全球應用需求將達63億美元,年複合成長率(CAGR)達34%。但現況供不應求,產能無法提升主因為長晶技術門檻高且時程冗長,且傳統瑕疵檢測方法耗時費力,有感於此,睿生光電以非破壞性檢測方式解決產業問題,睿生光電打造業界首創碳化矽AXI(Automatic X-ray Inspection)複合檢測系統,主導公司睿生光電利用本身關鍵X光平板感測器設計製造優勢,研發工業用高解析度平板感測器,利用X光源的穿透性,進行碳化矽晶錠3D重建演算法開發,並結合OCT(Optical Coherence Tomography)光學斷層掃描技術,導入AI辨識技術與X光影像處理演算法,打造碳化矽晶球、晶錠、晶片的一條龍檢測技術,建立非破壞性SiC晶錠/球/片的缺陷檢測方案,並於聯盟公司穩晟材料進行場域應用驗證,預計可動帶/衍生投資新臺幣3.2億元、創造產值新臺幣10億元。
發言人:產業技術司 周崇斌副司長
聯絡電話:02-23212200#8121
電子郵件信箱:cbjou@moea.gov.tw
業務聯絡人:經濟部產業技術司 何彥慶科長
聯絡電話:02-23946000#2561、0937-725601
電子郵件信箱:ycho2@moea.gov.tw
媒體連絡人:經濟部產業技術司 紀懿珊研究員
聯絡電話:02-23212200#8155、0910-660322
電子郵件信箱:yschi@moea.gov.tw
鴻華先進與鴻海精密獲經濟部補助1.4億 研發800V電驅動系統
CTWANT
更新於 04月30日17:20 • 發布於 04月30日17:20 • 劉芯衣
經濟部於今(113)年4月3日召開A+企業創新研發淬鍊計畫113年度第2次決審會議,會中通過3項計畫,著眼於電動車產業應用,分別從驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽元件的品質控制等方面進行技術創新和產業升級,預期衍生投資逾新台幣3億元、創造產值新台幣340億元。
經濟部的3項計畫分別為鴻華先進(2258)與鴻海精密(2317)共同合作之「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」、友威科技「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」、睿生光電與穩晟材料聯合開發「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」。
為解決現有電動車動力系統面臨的挑戰,鴻華先進與鴻海精密共同發展「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」,帶動國內產業技術升級,並以國產電動車型(Model C)作為實車驗證平台,經濟部補助金額新台幣1.4億元,計畫成果將應用於鴻華先進開放平台與車型等,垂直整合國內產業鏈帶動產業升級,預計開創3萬套/年供應需求、整車產值約1年300億。
友威科技「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」則以智慧化背金屬濺鍍系統解決5G、AI高速運算晶片散熱、抗干擾難題,搶進高階封裝市場,包含品牌客戶、晶圓代工廠、封測代工廠、IDM(Integrated Device Manufacturer)等,未來3年市場產值達新台幣30億元。
睿生光電與穩晟材料聯合開發「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」則是業界首創碳化矽(SiC)複合檢測系統,導入AI以非破壞性方式辨識缺陷,有效縮短長晶檢測時間,預計可衍生投資新台幣3.2億元、創造產值新台幣10億元。
鴻華鴻海800V電驅動系統 獲經部補助1.4億
記者鄭妤安/台北報導
2024年4月29日
[NOWnews今日新聞] 經濟部今(29)日表示,將補助鴻華先進與鴻海精密1.4億元,投入「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」,首創國內應用於電動車高電壓、高效率、高功率與高度集成的次世代電驅動系統,並以國產電動車(Model C)進行驗證。
經濟部「A+企業創新研發淬鍊計畫」再通過3項計畫,其中包括鴻華先進科技與鴻海精密工業共同合作的「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」、友威科技「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」,以及睿生光電與穩晟材料聯合開發的「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」。這3項計畫著眼於電動車產業應用,分別從驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽元件的品質控制等方面進行技術創新和產業升級,預期衍生投資逾新台幣3億元、創造產值新台幣340億元。
隨氣候變遷與能源消耗日益關注及2050年淨零排放趨勢,電動車市場正處於成長階段,為提升用戶快充體驗與滿足長續航里程等需求,關鍵系統技術也持續進步。為了解決現有電動車動力系統面臨的挑戰,鴻華與鴻海開啟「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」,首創國內應用於電動車高電壓、高效率、高功率與高度集成的次世代電驅動系統。
兩者合作共同發展次世代電驅動系統,帶動國內產業技術升級,優於國際水準,並以國產電動車型(Model C)作為實車驗證平台,充分發揮鴻華先進整車平台驗證能量與鴻海前瞻技術發展及生產製造技術優勢。
計畫成果將應用於鴻華先進開放平台與車型等,垂直整合國內產業鏈帶動產業升級,預計開創每年3萬套的供應需求(整車產值約每年300億),立足台灣、放眼全球,開創國際市場,為台灣電動車邁向兆元產值創造新利基。
經部補助鴻華先進與鴻海精密1.4億元 研發800V電驅動系統
2024/04/29 21:07
〔記者廖家寧/台北報導〕經濟部技術司本月召開「A+企業創新研發淬鍊計畫」(簡稱A+淬鍊計畫)2024年度第2次決審會議,通過鴻華先進科技與鴻海精密工業合作的1.4億元「800V高效率高度集成電驅動系統自主研發計畫」補助案,發展次世代電驅動系統,並以國產電動車型(Model C)作為實車驗證平台。
技術司也通過另2案,1案是友威科技「先進半導體背金屬高階封裝濺鍍系統整合研發計畫」6006萬元補助案,透過將背金屬濺鍍設備導入智慧製造系統,解決5G、AI高速運算晶片在散熱、抗干擾上的問題,以搶進高階封裝市場。
另1案是睿生光電與穩晟材料聯合開發「SiC-AXI複合檢測技術開發計畫」2500萬元補助案,透過業界首創的碳化矽複合檢測系統,以非破壞性檢測方式辨識瑕疵,能縮短長晶檢測時間。
技術司說明,上述3項計畫著眼於電動車產業,分別從驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽元件的品質控制等方面進行技術創新,預期衍生投資逾新台幣3億元、創造產值新台幣340億元。
穩晟材料6吋SiC產能全開 8吋研發投入
2023/09/06 05:22:35
經濟日報 吳佳汾
穩晟材料以自有開發專利技術,提供碳化矽晶圓生產的全流程關鍵技術和生產工藝,6吋產能已穩步,在2024年Q1達1000片/月,產能比去年同期增長四倍。同時6吋目前已經獲得日本客戶驗證通過,並於Q3下訂單,營收貢獻增加一倍。
穩晟積極貼近客戶端需求,觀察往後十年的功率半導體趨勢,碳化矽(SiC)將會扮演電動車(EV)、充電樁用功率元件要角及再生能源發展,加速提升碳化矽市場之滲透率。全球IDM布局趨勢,舉凡英飛凌、安森美(Onsemi)、羅姆(Rohm)、意法半導體(STM)、德州儀器(TI)、Wolfspeed等,無不把SiC視為電動車、綠能科技的核心,擴充產能速度與力道都非常強勁。新時代的日新月異,穩晟跟隨著客戶一起投入產線驗證、不斷升級自我技術。
對比2~3年前各大IDM還在討論何時才是SiC 6吋轉8吋的時間點,穩晟已投入兩台長晶爐於2023 Q2 開始試8吋生產,預估 2025 Q1 兩條8吋產線進行量產。於2025年估計會替公司帶來新的營收增長動力。
穩晟國際半導體展攤位號碼:J 3238
化合物半導體與電動車台南聚首 推動完整產業鏈南台灣落地
【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】 2023年06月28日 星期三
由台南市政府,工研院南方雨林辦公室主辦,台灣化合物半導體暨光電產業協會協辦的「化合物半導體與電動車產業鏈發展交流論壇」,28日於台南綠能科技示範場域舉行。包含鴻海研究院、穩晟材料、康舒科技、晶成半導體、以及世界先進等業者也親赴現場,為台灣化半與電動車產業的推動提出看法。
工研院副總吳志毅,目前也是工研院南方雨林辦公室主任,他在致詞時表示,南方雨林辦公室的成立,其實是由前工研院南分院執行長吳誠文(目前為南臺科技大學校長)所推動,其目標是要把化合物半導體和電動車應用要在南部推動落地。
至於為什麼會選擇南部?吳志毅指出,除了平衡南北的產業聚落發展之外,最重要的,就是南台灣的汽車配件產業其實很蓬勃,很適合作為發展車電產業的地區。
而針對「化合物半導體產業鏈如何形成聚落?」的焦點座談中,包含鴻海研究所半導體研究所長郭浩中、台南市政府經發局局長林榮川、穩晟材料總經理特助趙志偉、世界先進處長沈士強、工研院產科國際所研究總監鄭華琦、電子時報分析師王尊民皆提出建言。
其中鴻海研究所半導體研究所長郭浩中指出,化合物半導體並不限於電動車,包含綠能與電源相關的應用都有使用化合物半導體的空間,可以更加多元與廣泛的來尋找藍海的市場;世界先進處長沈士強,則針對關鍵的儀器設備國有化的議題,需要加強力道。
穩晟材料總經理特助趙志偉認為,台灣沒有IDM廠,因此缺乏國際的議價能力,故發展虛擬IDM模式將是首要之急;再者,儀器設備的國有化進度也要加速,目前絕大多數的設備仍是仰賴國外業者。
工研院產科國際所研究總監鄭華琦,則期許政府在研究效益的指標方面,應該要以更長期和宏觀的角度來看待,因為並不是所有的頭都一定會有立即的成果,而且對於研發規畫也要更加明確的來標註成果,同時最好是從下游往上來規劃。
回應業界的期待,台南市政府經發局局長林榮川表示,產官學研的合作是正確且必要的方式,而官方的配合就是一個關鍵。而他也透露,台南即將有一個半導體的投資計劃將要推出,請大家拭目以待。另外他也強調,台南針對產業的需求,也已經做好了準備,包含土地等,會全力來服務產業。
而針對台灣電動車產業的發展,則聚焦在包含充電樁等基礎建設的發展,以及相關人才的培育方面。世界先進處長沈士強建議,廣推半導體學院並非上策,而是要去清楚的看到5~10年後,半導體產業會前進到什麼面貌,進而回來整備人才的培育政策。郭浩中則認為,台灣缺乏機電整合的跨領域人才,也建議工研院對此多多開課。
第三類半導體朝 8 吋晶圓邁進!台廠相關概念股發動時機曝光
作者 姚 惠茹 | 發布日期 2023 年 03 月 15 日 8:31 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓
受惠電動車產業崛起,第三類半導體題材發酵兩年,但是現在磊晶廠客戶清庫存嚴峻,並下修訂單,使得庫存調度尚未見底,國泰期貨預估,下半年需求將回溫,至於相關概念股,華冠投顧分析師劉烱德認為,主要觀察外資進出及新台幣匯率走勢。
第三類半導體市況
首先從半導體產業現況來看,由於客戶清庫存狀況仍嚴峻,中國客戶持續下修訂單,MOSFET 台廠也下修訂單,目前還沒看到起色,庫存調度尚未見底,尤其中國廠狀況最為嚴重,個別客戶甚至延後繳款時程,新產能則要到下半年才有機會開出。
國泰期貨表示,化合物半導體的部分產能雖然低,但是容易填滿,只是訂單仍略為下修,因為消費性大環境仍不好,並有近五成客戶做價格下修,主要集中在第一類半導體,第三類相對沒有影響,整體預估下半年需求將回溫。
由於在第三類半導體上,台廠價格比中國廠貴 2~3 成,考量到成本因素,客戶黏著度不高,目前已陸續有聽到中國客戶的部分案件轉往中國代工廠,而台廠的策略則是轉做高階,如兩層或三層的磊晶,或是高壓、高阻來抗衡。
8 吋 SiC 晶圓概況
目前台廠多以 6 吋為主要發展尺寸,但是國泰期貨認為,電動車需要大量導電型 SiC 晶圓,供不應求之下,6 吋價格波動不大,又要到 2024 年才會大量開出產能,使得更具成本優勢的 8 吋 SiC 晶圓,未來可能會逐漸取代 6 吋成為市場主流。
從成本來看,根據調研機構數據,若達成熟階段,8 吋單片售價約為 6 吋的 1.5 倍,單顆晶粒成本較 6 吋低,但是製造成本則比 6 吋高,而目前 8 吋磊晶設備可以向下兼容 6 吋,導致許多後進者直接朝 8 吋發展,試圖彎道超車。
從優勢來看,8 吋的生產晶粒數為 6 吋 SiC 晶圓的 1.8 倍,而且晶圓利用率顯著較高,以實際應用場景電動車為例,6 吋約可提供給兩台車做使用,而 8 吋的供給量則可達三台車。
台廠第三類半導體發展
華冠投顧分析師劉烱德表示,第三類半導體碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)的特性是在高功率及耐高溫耐高壓,剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能,所必須用到的新材料。
劉烱德指出,台廠在第三類半導體目前是晶圓代工的製造強,但是上游基板及 IC 設計的兩端弱,而製造晶圓的成本,基板占 50%、磊晶占 25%、元件晶圓占 20%,主要廠商都在國外,台廠又缺全方位 IC 設計人才,像是第三類半導體晶片 IC 設計需要結合數學、物理、電磁波、電子、電機、機械多面向專業。
劉烱德說明,目前全球 SiC 主流為 6 吋晶圓,年產能約 40~60 萬片,集邦預估 2025 年 6 吋 SiC 晶圓需求量將達 169 萬片,市場供給仍吃緊,目前國外公司已在整合上下游,IDM 廠展開合作、策略結盟或併購,降低成本切入 8 吋晶圓市場,試圖擴大產能,提升競爭優勢,但是台廠目前產能仍在 4 吋及 6 吋,相對落後。
第三類半導體概念股發動訊號
劉烱德表示,第三類半導體概念股中,盛新材料、穩晟材料均未登興櫃,而其他第三類半導體上市櫃公司在經歷 2022 年大幅回檔後,現階段股價走勢結構普遍處於低檔位階的震盪整理型態中。
劉烱德舉例,漢民集團的漢磊目前處於三角形態,而嘉晶處於雙底型態,尚未出現明確的趨勢走向,現在看來在趨勢未見明確發動前,相關概念股都要先觀望,並留意走勢發展即可。
劉烱德強調,相關概念股後續要觀察兩大訊號,最明確的就是外資有沒有持續買賣,還有就是新台幣匯率走勢,因為新台幣的匯率就代表資金的流進與流出,而資金進來台灣一定是往股票市場前進,所以這是觀察相關概念股發動時機的重要指標。
〈投資理財〉電動車崛起 台灣第三類半導體受惠
By 溫潤身, 台灣英文新聞-時評 2022/10/01 09:23
全球半導體因消費性電子需求趨緩,庫存嚴重偏高,正積極與上游廠商洽商減量或降價,晶圓代工廠景氣受挫,雜音頗多,其中尤以第一類及第二類半導體受到影響最大,也衝擊台灣半導體產業。
然而,電動車崛起,第三類半導體成為最夯的產業,完全不受經際經濟景氣的影響。尤其碳化矽(SiC)產能加速投產,電動車功率元件未來可望快速成長,第三類半導體廠商機看好,供不應求,值得注意,也是台灣未來電動車及半導體產業大商機。
電動車發展最大的瓶頸,在於續航里程及電池充電時間,因此低耗損、耐高溫及耐高壓的SiC功率元件、電池,都是決定電動車成敗的關鍵因素。但是電池大致都已被全球大廠綁定,第三類半導體競賽才剛剛開始,未來電動車需求龐大,商機正要顯現,台灣無論在半導體、車用電子方面,都有相當基礎,未來潛力看好。
化合物半導體是由2種以上元素原子構成半導體材料,一般常見的二元化合物半導體包括:砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化矽、矽鍺。同時會依能隙大小,歸類為第一類、第二類、第三類半導體,砷化鎵與磷化銦歸類為第二類半導體,碳化矽與氮化鎵歸於第三類半導體。
目前全球消費性電子正在衰退,但是使用在電動車電池的第三類半導體,卻因為電動車快速成長受益,再加上台灣政府扶持本土第三類半導體產業,使得碳化矽及氮化鎵後市看好。相關產業發展,才正展開競賽,各類商機,後續發展值得期待,投資人可以持續追蹤。
以氮化鎵為例,單晶生長難度非常高,故元件製作採用異質磊晶片,電動車採用碳化矽元件製作,亦使用碳化矽晶圓為基板的磊晶片,市場價值從2020年全球化合物半導體晶圓/磊晶市場規模10億美元,逐年成長預料至2026年的20.5億美元,年複合成長率達15%。其中氮化鎵與碳化矽年複合成長率各23.9%、13.9%。
氮化鎵主要製作光電、功率、射頻元件,應用於電源控制、無線通訊等多種領域,依據市調指出,2021年全球氮化鎵射頻元件市場規模為10.5億美元,預估2026年將達24億美元,年複合成長率達18%。
特斯拉在2017年率先使用碳化矽(SiC)功率元件,接著現代、比亞迪、通用等車商跟進,歐洲車商奧迪、福斯不落人後,紛紛開始投產,目前車載充電器及轉換器元件等領域,SiC元件的應用,已趨成熟,但是因為產製過程複雜緩慢,技術門檻高,市場供不應求,要想搶市,並不容易。
由於全球高檔電動車相繼推出800V高壓車型,電氣架構革新,將使SiC功率元件,成為主驅逆變器標準配備,據電動車業界評估,全球電動車市場對6吋SiC晶圓的需求,將從今(2022)年的25萬片,逐年上升,至2025年,暴增到169萬片,成長速度驚人。
傳統燃油車的功率半導體用量是18顆,但是每輛電動車或油電混合車的功率半導體用量,將達到8倍以上,也就是250顆,若以金額計算,燃油車的半導體費用是71美元,電動車將増加到450美元,耐高壓高溫的功率半導體元件需求顯而易見。
電動車對碳化矽(SiC)需求量大,但是供給面卻大有問題,原因有二,一是擁有碳化矽長晶量產技術的公司有限,不會超過5家,另一是碳化矽晶棒生產速度極慢,再加上切割、研磨難度高,造成碳化矽基板供不應求,造成電動車廠急欲掌握貨源,搶貨風潮大起。
碳化矽元件可耐600W以上電壓,廣泛應用於車用電子、電力設備等領域,比矽製品能減少50%電能轉換損耗,降低20%電源轉換成本。因此適合超高功率、高電能轉換效率的應用,是電動車未來成敗重要關鍵。
全球碳化矽SiC商機高達350億美元,最早下手搶商機的是Wolfspeed,雄踞6成市占率,其次是日商羅姆、II-VI。這三大企業,今年不受股災影響,股價半年內紛紛大漲,引起市場對第三類半導體商機高度興趣,前景看好,股價亦不容低估。
台灣上市公司台達電子公司最近成立碇基半導體,與日商羅姆結盟,共同投資研發600V的氮化鎵功率元件,形成產業聯盟,亦使台達電有機會踏入第三類半導體商機,極為重要的一步。
台灣在碳化矽基板原料的取得上,雖處劣勢,但是在功率半導體元件代工,有一定的製程實力,國內三大晶圓代工龍頭:漢磊、嘉晶、台半,都已建立良好基礎。相較於碳化矽,另一備受矚目的氮化鎵,由於磊晶及製程量產技術,相較於碳化矽更難,如要邁向商品量產化,與矽化矽材料形成競爭,恐怕要到2025年才有機會。第三類半導體無疑提供台灣極大商機。
目前台灣第三類半導體產業鏈,相關上市櫃公司可以劃分為:長晶/晶錠方面:環球晶、漢民、盛新、穩晟。漢民。晶圓加工方面:磊拓、微鑽、華旭、創技、日揚、碩彥、辛耘、電鏡、南方。磊晶方面:嘉晶、全新、合晶、台亞、積亞。晶圓製造方面:台積電、聯電、世界先進、穩懋、漢磊、宏捷科、晶成、鴻海。
另外在晶圓封測及模組,包括:環旭、利機、順德、菱生、強茂、全訊、鵬程。終端運用包括:台達電、康舒、世界先進等企業。
第三類半導體將廣泛運用在電動車上,競賽才剛剛開始,不受消費性電子產品衰退影響,正是台灣半導體業大展鴻圖良機,政府亦積極輔導相關企業發展,粗具成效,值得投資人注意。
★投資一定有風險•理財請務必慎思★
PIDA:台灣攻化合物半導體 產官學總動員
20:352022/01/20 工商 方歆婷
台灣化合物半導體2021年產業產值高達835億元,年增26.4%。PIDA光電科技工業協進會持續推動產官學合作,董事長邰中和指出,擴大在設備與材料方面的量能,將為台灣帶來機會。2021年「台北國際光電週」,特設立「化合物半導體專區」,除了中美晶(5483)、穩懋(3105)、宏捷科(8086)等指標公司外,也邀請中鋼碳素、南方科技等,帶來新材料與檢測等。
化合物半導體擁高能效、低能耗等特性,切合新興科技應用,深受產業重視。PIDA指出,在政府推動化合物半導體計畫下,台灣建立完整戰略,面對國外IDM廠商尋求代工,包括台積電、聯電、穩懋等代工廠增加產能,而環球晶、漢民、穩晟、盛新等基板廠商同樣擴大投資,多家廠商預計2022年推出化合物半導體相關產品。
在全球市場上,碳化矽(SiC)基板依舊供不應求,主要大廠如Wolfspeed(原Cree)、II-VI、Rohm等,目前均以10倍以上的能量在擴增產能。PIDA執行長羅懷家指出,碳化矽難在長晶,材料的選擇會是重點。
據中鋼碳素先前表示,碳化矽無論是原料端或製程端皆需要使用高純度碳材,過程中高純度石墨坩堝是要角,惟須倚賴進口,國內長晶業者自行設計熱場也因進口坩堝尺寸而受限。著眼於此,中鋼碳素斥資5700萬元,建置全台第一座鹵素純化爐,開發高純度碳粉及高純度石墨坩堝,做為生產碳化矽的原料,以建立台灣材料自主能力。
邰中和也指出,人才會是產業發展重點,因此PIDA積極促成產業合作與交流。除了5G、人工智慧、遠距服務及自駕車等科技興起,他還提及包括B5G矽光子、6G衛星光通訊等,都將是帶動台灣光電產業的明日之星。
PIDA推產官學合作 攻化合物半導體
方歆婷/台北報導 2022年1月21日·1 分鐘 (閱讀時間)
台灣化合物半導體2021年產業產值高達835億元,年增26.4%。PIDA光電科技工業協進會持續推動產官學合作,董事長邰中和指出,擴大在設備與材料方面的量能,將為台灣帶來機會。2021年「台北國際光電周」,特設立「化合物半導體專區」,除了中美晶(5483)、穩懋(3105)、宏捷科(8086)等指標公司外,也邀請中鋼碳素、南方科技等,帶來新材料與檢測等。
化合物半導體擁高能效、低能耗等特性,切合新興科技應用,深受產業重視。PIDA指出,在政府推動化合物半導體計畫下,台灣建立完整戰略,面對國外IDM廠商尋求代工,包括台積電、聯電、穩懋等代工廠增加產能,而環球晶、漢民、穩晟等基板廠商同樣擴大投資,多家廠商預計2022年推出化合物半導體相關產品。
在全球市場上,碳化矽(SiC)基板仍供不應求,主要大廠如Wolfspeed(原Cree)、II-VI、Rohm等,目前均以十倍以上的能量在擴增產能。
據中鋼碳素日前表示,碳化矽無論是原料端或製程端皆需要使用高純度碳材,過程中高純度石墨坩堝是要角,惟須倚賴進口,國內長晶業者自行設計熱場也因進口坩堝尺寸而受限。著眼於此,中鋼碳素斥資5,700萬元,建置全台第一座鹵素純化爐,開發高純度碳粉及高純度石墨坩堝,做為生產碳化矽的原料,以建立台灣材料自主能力。
2022年股市的大主流、次主流及小主流!
楊惠宇分析師(永誠國際投顧)2022/01/05 09:44
2021 年即將過去,回顧這一年,在後疫情的通膨時代下,台股由 14732 漲至 18000 點,許多以往覺的不可思議的事,在今年一一發生,友達 (2409-TW) 一度衝到 35.5、聯電 (2303-TW) 也站穩 60 元之上,航海王長榮 (2603-TW)、鋼鐵人中鴻(2014-TW) 等都風糜一時,電動車康普 (4739-TW)、低軌衛星昇達科(3491-TW)、第三代半導體漢磊(3707-TW)、仍至年底的元宇宙宏達電(2498-TW) 等,為 2021 年劃下句點。
在渡過了精彩的一年後,面對即將到來的 2022 年,我們要思考的是,接下來有什麼可以值得期待?
對於明年的全球景氣,OECD 預測全球經濟成長率為 4.9%,IMF 則預測為 3.8%,雖然不似今年強勁,但仍在上升軌道,指數明年成長空間有限,選股就為重要,依照格局的大小,可區分為大主流,次主流及小主流。明年年初政府將發出第一張低軌衛星執照,昇達科因技術可提供到酬載標準而成為指標,旗下子公司芮特 (6514-TW) 也出現落後補張走勢,鴻海集團旗下網通廠建漢 (3062-TW) 及台揚 (2314-TW) 一個室內,一個室外合作,兩者今年獲利表現都不佳,不過台揚明年在 5G ORAN 架構下得利,成長性較佳,燿華則積極進行認證,明年有望擠入供應商行列。
另一個不可忽視為電動車,滲透率由今年 10% 跳升至 2025 年 25%,成長力道驚人,其中電池為關鍵,雖然目前車用晶片缺口接近 30%,而電池缺口只約 17%,但車用晶片視車階高低種可進行增減,但電池則為標配無法取代及刪減,故成長性仍為最大。
電池組成分為電解液,正極材料,管理系統及隔離膜,其中正極材料最重要,分別為康普 (4739-TW),美琪瑪 (4721-TW),立凱 (5227-TW),近期立凱因減資及導入策略夥伴引發想像空間,但正規軍仍為康普及美琪瑪,兩者獲利也在伯仲之間.
第三代半導體因具耐高壓及電流特性,適用在電動車及 5G 之功率產品,整體占半導體產值比重五年內由 1.8% 升至 5%,雖然看似不高,但因其價格比矽產品多出五十倍,加上基期低,也成為市場焦點。
目前國內主要由中美晶 (5483-TW) 集團及漢民集團主導,以整個晶圓製造來講,分為碳化矽基板,磊晶及代工,其中以基板難度最高,國內有環球晶 (6488-TW),持有盛新材料的太極(4934-TW) 以及持有穩晟的中砂(1560-TW),在進度中以環球晶第一,再來為穩晟,盛新進度較落後些。
第三代半導體特色在耐高電壓電流,而第二代半導體砷化鎵則適合用在追求速度產品上,如通訊用之 PA 及 VCSEL,兩者並不抵觸,中美晶在第一,三代半導體皆卡位後,獨缺第二代半導體,故運用旗下兆遠 (4944-TW) 計劃由藍寶石基板轉型切入,另外持股 23% 的宏捷科 (8086-TW) 也為代表,籍由此兩檔股票,完成在一~三代半導體完整佈局。
由於相關產業龐大,無法單一篇幅詳述,可加入 LINE(https://lin.ee/cFL6Qcs),將持續追蹤!
大主流為貫穿全年趨勢,當然不會一直發動,但是可來回操作的題材,另外在 2022 年全球國家幾乎都在升息的狀況下,有一個國家反其道而行,就是中國,在歷經打房,整頓及美國卡關之下,內需萎縮,於是進行降準降息來打算重振旗鼓,中國要成長,靠龐大內需就夠,而其身為全球第一大原物料需求國,自然也會帶動相關商品走勢。
現在要說的次主流之一就是「原物料需求」,不管是任何原物料,多半都得透過貨櫃航運來進貨、出貨,中國龐大的內需政策,仰賴大量的物料進口,所以會持續拉升貨櫃航運的運價,也就是說航運股明年還是會有表現的,雖然很難像今年這樣有顯著的爆發性,但將合理地維持高檔,並且航運類股的強勢,很可能漸漸轉為一種常態。
而較為重視產業題材性,容易受到消息影響而整體拉升、整體走低的,就是小主流系列。比如被動元件、記憶體這類只要有需求,帶動漲價風聲就容易上漲的類股,還有就是各國持續推動的再生能源,雖然再生能源多半都伴隨著基本面較差的風險,但仍然會受到題材性推動,可能在短線出現驚人的好成績。
結論而言,大主流走未來趨勢長線,基本上無可動搖;次主流受國際情勢或產業結構的轉變而定;小主流則是看個體產業的需求性來決定走勢,三者其實各有操作方法、也各有操作策略,如果有興趣的投資朋友,可以加入 LINE,老師會帶您持續追蹤。
搶第三代半導體商機 台廠誰穩操勝算?
第3代半導體成為熱議話題,不但台積電、中美晶等大廠搶進,鴻海也買6吋晶圓廠備戰,在這一場競爭激烈的第3代半導體戰役中,究竟有哪些廠商會從中脫穎而出,令人期待。
在第3代半導體之中的氮化鎵(GaN)以及碳化矽(SiC),因其耐高溫、高壓及高頻的特性,接連傳出被特斯拉、蘋果等指摽性廠商導入,目前滲透率雖低,但已受到許多台廠供應鏈關注,股市更颳起第3代半導體旋風。
第3代半導體為化合物半導體的一種,是一個過去就存在的技術,被點名受惠的公司股價皆一飛沖天,一名資深業者感嘆地說,「以前市場差,一堆做第3代半導體的都放棄去找其他工作,最近都開始回流了。」
第3代半導體的商機究竟有多誘人,從各家廠商都預計導入的力度,就可略知一二。以氮化鎵來說,因可大幅節省能耗、空間,戴爾、小米等消費電子產品廠商紛將其採用在快充頭上,據傳蘋果也將導入在快充設備上。除了充電器,在碳化矽基板上長氮化鎵的技術(GaN-On-SiC),更能應用在光達、基地台甚至衛星通訊等高階應用,雷達系統公司創未來科技董事長王毓駒指出,因為高功率、低能耗的特性,因此創未來的雷達裡,已經有導入氮化鎵晶片的方案。
碳化矽應用更不在話下,自從特斯拉在電動車Model 3逆變器導入碳化矽元件後,以一顆碳化矽元件抵4、5顆矽功率元件的特性,被看好為能取代過去的IGBT模組。除了電動車之外,其他包括太陽能、風電等需要高壓電力傳輸的場域,同樣可以看到碳化矽的身影。資策會資深產業分析師鄭凱安表示,「預計到2025年,碳化矽功率元件全球產值,至少會達到20億美元以上。」
目前第3代半導體還是由歐美IDM(整合元件製造)廠壟斷,但隨著各家業者大舉投入第3代半導體,以及電動車、軍工航太、資料中心、基地台等新興應用起飛,台廠莫不期待能在其中扮演一定的供應角色。
鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中分析,「台灣在化合物半導體滿強的,在元件上雖然材料美國比較厲害,但是製造端有台積電、穩懋,封裝有日月光,台灣是有機會做起來的。」
科技大廠紛插旗卡位
台積手握客戶、穩懋擴廠
放眼看去,除了原本就稱霸矽晶圓領域的台積電、日月光、環球晶等,均布局卡位第3代半導體一段時間;在第2代半導體砷化鎵(GaAs)領域深蹲已久的穩懋、宏捷科、全新等,也擺出對第3代半導體勢在必得的態勢。此外,功率元件供應鏈如強茂、漢磊、世界先進,以及從LED、太陽能領域跨足的富采、太極、穩晟等,也摩拳擦掌投入第3代半導體。
任職漢磊達6年的前總經理莊淵棋曾在一場論壇分析,會讓台積電、聯電投入氮化鎵代工技術的關鍵,「是因為它跟代工廠原本的設備相容度達9成以上,且氮化鎵有機會轉到8吋廠投片(目前大部分在4吋廠、6吋廠投片),只要多添購專用設備就好,其他都可以轉來專用。」
華南永昌與穩晟材料簽訂上櫃輔導契約
展開 IPO 上櫃計畫 邁向資本市場之路
華南永昌證券與穩晟材料科技1月14日正式簽訂上櫃輔導契約。華南永昌證券表示,穩晟材料科技為專業碳化矽(SiC)技術、材料及設備供應商,在業界耕耘多年,熟稔各式半導體及單晶晶體生長技術,以及領先業界之晶圓加工製程技術。傳統以矽為材料的功率半導體,正逐漸面臨發展瓶頸,而具有比矽更低導通電阻及更高切換速度的碳化矽功率器件以其優異的高耐壓、低損耗、高導熱率等優異性能,有效實現電力電子系統的高效率、小型化和輕量化。
穩晟材料科技的SiC晶片產品應用於電動車馬達變頻模組(高功率組件)及5G通訊模組(射頻組件),SiC功能也分別提升電動車節能效果及降低傳統晶片尺吋及能耗。依據調查機構Yole development指出2018年全球SiC之高功率組件產值約3億美元,2022年將呈倍數成長,增加至15億美元以上;2018年全球射頻組件產值約16億美元,2022年將呈倍數成長,增加至26億美元以上,整體說明未來SiC整體產值仍維持成長格局,故需提早佈局以因應成長階段所伴隨的市場先機。
穩晟材料科技對比當前德國、美國、俄羅斯多家企業的碳化矽長晶技術及設備製造廠家,選定與日本、法國等設備大廠共同合作,專注開發昇華法(Phase Vapor Transport, PVT)法製造4~6寸碳化矽N型及半絕緣4H。整合國內碳化矽領域的技術專家,建立碳化矽長晶、晶圓加工生產線,致力於開發高品質大尺寸碳化矽長晶及晶圓加工技術,最終目標實現長晶、晶圓加工製造、設備及關鍵材料的推廣和銷售,積極推動碳化矽材料的上中下游產業,力爭實現碳化矽全產業鏈的國產化。 目前穩晟材料科技已準備替國內相關政府單位及多家產業公司,建立碳化矽產業基地,相信在國家及民間企業的支持和推動下,穩晟材料科技將成為世界級專業的碳化矽材料供應廠商。
第3代半導體掀投資熱 碳化矽基板是發展關鍵
電動車、5G基建帶動功率元件需求,第3代半導體具重要地位,中國、美國等主要國家紛紛政策推動,國內外企業也爭相投入。產業分析師表示,碳化矽基板是發展最大關鍵。
工研院產科國際所研究總監楊瑞臨說,第3代半導體近年成為各國政府與產業界關注的熱門焦點,主要有3個催化劑。第一是美國電動車大廠特斯拉(Tesla)搶先採用第3代半導體碳化矽(SiC),讓SiC元件得以實際發揮散熱性佳,及提高電動車續航力等特色。
第二是全球環保意識抬頭,各國政府為達到碳中和、淨零碳排,紛紛訂定淘汰燃油車的時間表,促使車廠加速轉進電動車。第三是中國為記取矽基半導體受制於美國的教訓,政策大力支持發展第3代半導體。
有別於中國砸錢補貼的作法,楊瑞臨表示,美國政府推動的基建計畫中將大舉建置充電樁,這將為第3代半導體SiC創造市場。
第3代半導體是以SiC及氮化鎵(GaN)為主要材料,有別於第1代半導體以矽(Si)、鍺(Ge)為主要材料,及第2代半導體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、鋁砷化鎵(AlGaAs)為主要材料。
楊瑞臨指出,在高功率應用方面,第3代半導體具備寬能隙、耐高溫和高功率密度等特性;在高頻應用方面,具備低能耗和散熱佳等特性。電動車、5G基建及快充等需求是主要成長動能。
SiC電晶體與碳化矽基GaN電晶體是成長性較高的兩項產品,年複合成長率分別達27%及26%,都需要採用SiC基板。
此外,SiC功率元件成本架構,也是以包含長晶、切割、研磨的基板占最大比重,高達50%。其餘的磊晶占25%,製造占20%,後段封測占5%。
楊瑞臨表示,SiC基板製造難度高,是成本高昂的主因。熱場控制及晶種掌握相當關鍵,卻只能土法煉鋼,做中學、學中做。
SiC長晶效率又比Si慢100至200倍,Si長晶約3天即可製造高度200公分晶棒,SiC要7天才能長出2至5公分的晶球。此外,SiC硬且脆,切割、研磨拋光難度高,會有很多報廢物。
科銳(Cree)是全球SiC基板龍頭廠,市占率超過6成,目前國內有廣運集團旗下盛新材料科技和穩晟材料投入SiC基板領域。
楊瑞臨說,SiC基板不僅占功率元件成本比重高,且與產品品質密切相關,SiC基板將是SiC發展的一大關鍵,包括意法半導體(ST)等廠商皆積極朝上游SiC基板發展,以強化競爭力,值得台灣廠商參考。
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